STMicroelectronics amplia il portafoglio per datacenter AI in collaborazione con NVIDIA

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STMicroelectronics ha annunciato oggi l'espansione del portafoglio di conversione di potenza a 800 VDC con due nuove architetture avanzate: da 800 VDC a 12V e da 800 VDC a 6V.

Sviluppati sul design di riferimento NVIDIA 800 VDC, questi nuovi stadi di conversione di potenza completano la soluzione da 800 VDC a 50V introdotta in precedenza.

L'architettura per data center a 800 VDC, che sta emergendo rapidamente, consente una maggiore efficienza energetica, riduce le perdite di potenza e supporta un'infrastruttura più scalabile e ad alta densità di calcolo per hyperscaler e calcolo AI.

"Con la rapida espansione della scala del calcolo dell'infrastruttura AI, essa richiede una distribuzione a tensione più elevata e una maggiore densità, che possono essere ottenute solo con l'innovazione a livello di sistema per ciascuno dei diversi fattori di forma dei server AI", ha affermato Marco Cassis, Presidente del Gruppo Analog, Power & Discrete, MEMS and Sensors di STMicroelectronics. "Con questi nuovi convertitori per la distribuzione di potenza a 800 VDC, ST apporta un insieme completo di soluzioni per supportare l'implementazione di infrastrutture di calcolo su scala gigawatt con architetture di potenza più efficienti, scalabili e sostenibili".

Un ecosistema completo a 800 VDC per i diversi fattori di forma dei server AI

L'espansione agli stadi di uscita a 12V e 6V riflette il passaggio del settore verso diverse architetture server che richiedono diverse topologie di erogazione della potenza a seconda della generazione della GPU, dell'altezza del server, del fattore di forma e dell'involucro termico per cluster di addestramento su larga scala, farm di inferenza e infrastrutture AI ad alta densità. I bus DC intermedi a 50V, 12V e 6V coesisteranno tutti nei data center AI a seconda della densità dei rack, della configurazione delle GPU e della strategia di raffreddamento.

Il nuovo convertitore da 800 VDC a 12V consente una distribuzione ad alta efficienza dagli scaffali di alimentazione (power shelves) a livello di rack direttamente ai domini di tensione che alimentano gli acceleratori AI avanzati.Il nuovo percorso da 800 VDC a 6V consente agli OEM di ridurre il numero di stadi di conversione e spostare il bus a 6V più vicino alla GPU.

Ciò riduce l'uso di rame, minimizza le perdite resistive e migliora le prestazioni ai transitori, un elemento di differenziazione critico per i cluster di addestramento su larga scala.

Già nell'ottobre 2025, STMicroelectronics aveva introdotto un prototipo di sistema di erogazione della potenza completamente integrato che mostrava un convertitore LLC compatto basato su GaN operante direttamente da 800 V a 1 MHz con un'efficienza superiore al 98% e un'eccezionale densità di potenza in un ingombro delle dimensioni di uno smartphone superiore a 2.600 W/in³ a 50 V.

Le tre soluzioni combinano le tecnologie ST per i semiconduttori di potenza (silicio, SiC, GaN), i segnali analogici e a segnali misti e i microcontrollori.